突触后电位
突触后电位(postsynapticpotential)发生在突触后膜上的局部电位。通过细胞内微电极记录技术，可在突触后膜上记录到兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。 前者是兴奋性神经递质作用于突触后膜，使膜外阳离子流入膜内，产生去极化的结果。此时膜电位比静息电位更正。 后者是抑制性神经递质作用于突触后膜，使阴离子从膜外流向膜内，阳离子从膜内流向膜外，产生超级化的结果。此时膜电位值比静息电位更负，低于静息电位值。两种突触后电位都是极量反应，随刺激强度的增大而增加，并可发生时间和空间总和现象，缓慢变化，可持续数十毫秒，且不能迅速传导下去。根据被动的电子扩散规律，可向四周扩散，但其强度很快衰减直至消失。
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